FP25R12W2T4_B11, IGBT Modules LOW POWER EASY
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 480 руб.
от 10 шт. —
12 750 руб.
от 30 шт. —
11 480 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 15 480 руб.
Плати частями
от 3 870 руб. × 4 платежа
от 3 870 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Configuration: | 3-Phase Inverter |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 39 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 15 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | SP000413966 FP25R12W2T4B11BOMA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 175 W |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Series: | Trench/Fieldstop IGBT4-T4 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | EasyPIM |
| Вес, г | 39 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 844 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
