FS200R07PE4, IGBT Modules IGBT Module 200A 650V
![FS200R07PE4, IGBT Modules IGBT Module 200A 650V](https://static.chipdip.ru/lib/007/DOC007007247.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
43 630 руб.
1 шт.
на сумму 43 630 руб.
Плати частями
от 10 909 руб. × 4 платежа
от 10 909 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650V
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 600 W |
Вид монтажа | Chassis Mount |
Другие названия товара № | FS200R07PE4BOSA1 SP000711920 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 200 A |
Подкатегория | IGBTs |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Размер фабричной упаковки | 6 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FS200R07PE4
pdf, 759 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов