FS200R07PE4, IGBT Modules IGBT Module 200A 650V

FS200R07PE4, IGBT Modules IGBT Module 200A 650V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
43 630 руб.
1 шт. на сумму 43 630 руб.
Плати частями
от 10 909 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005073967
Артикул: FS200R07PE4

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 600 W
Вид монтажа Chassis Mount
Другие названия товара № FS200R07PE4BOSA1 SP000711920
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 200 A
Подкатегория IGBTs
Продукт IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки 6
Тип продукта IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tray
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet FS200R07PE4
pdf, 759 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов