FS30R06W1E3, IGBT Modules N-CH 600V 45A
![FS30R06W1E3, IGBT Modules N-CH 600V 45A](https://static.chipdip.ru/lib/349/DOC031349122.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 090 руб.
от 10 шт. —
7 280 руб.
от 24 шт. —
6 330 руб.
от 48 шт. —
5 901.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 090 руб.
Плати частями
от 2 024 руб. × 4 платежа
от 2 024 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.55 V |
Configuration: | 6-Pack |
Continuous Collector Current at 25 C: | 45 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 24 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Chassis Mount |
Package / Case: | EASY1B |
Packaging: | Tray |
Part # Aliases: | SP000223650 FS30R06W1E3BOMA1 |
Pd - Power Dissipation: | 150 W |
Product Category: | IGBT Modules |
Product Type: | IGBT Modules |
Product: | IGBT Silicon Modules |
Series: | Trenchstop IGBT3-E3 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | EasyPACK |
Вес, г | 24 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 965 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов