FS50R06W1E3_B11, IGBT Modules IGBT Module 50A 600V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 730 руб.
от 10 шт. —
8 590 руб.
от 24 шт. —
7 300 руб.
от 48 шт. —
6 824.16 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 730 руб.
Плати частями
от 2 684 руб. × 4 платежа
от 2 684 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
| Configuration: | 6-Pack |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 70 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 24 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Module |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | SP000790740 FS50R06W1E3B11BOMA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 205 W |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Series: | Trenchstop IGBT3-E3 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | EasyPACK |
| Вес, г | 24 |
Техническая документация
Datasheet FS50R06W1E3_B11
pdf, 628 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
