FS50R12W2T4, IGBT Modules IGBT 1200V 50A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 170 руб.
от 10 шт. —
12 500 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 15 170 руб.
Плати частями
от 3 794 руб. × 4 платежа
от 3 794 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Configuration: | 6-Pack |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 83 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 15 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Module |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | SP000404114 FS50R12W2T4BOMA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 335 W |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Series: | Trenchstop IGBT4-T4 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | EasyPACK |
| Вес, г | 39 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1192 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
