BCR 112 E6327, Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
110 руб.
от 10 шт. —
71 руб.
от 100 шт. —
42 руб.
от 1000 шт. —
17.86 руб.
1 шт.
на сумму 110 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 20 |
| DC Current Gain hFE Max: | 20 |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | SP000010747 BCR112E6327XT BCR112E6327HTSA1 |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| Product Category: | Digital Transistors |
| Product Type: | Digital Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Typical Input Resistor: | 4.7 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 1 |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 834 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
