BCR133E6327XT, Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA

BCR133E6327XT, Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт.71 руб.
от 100 шт.43 руб.
от 1000 шт.18.12 руб.
1 шт. на сумму 110 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005238613
Артикул: BCR133E6327XT

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Continuous Collector Current: 100 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min: 30
Factory Pack Quantity: 3000
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SOT-23
Part # Aliases: 133 BCR E6327 SP000010757 BCR133E6327HTSA1
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Product Category: Digital Transistors
Product Type: Digital Transistors
Qualification: AEC-Q101
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 865 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов