BCR133E6327XT, Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
![BCR133E6327XT, Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA](https://static.chipdip.ru/lib/396/DOC043396514.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт. —
71 руб.
от 100 шт. —
43 руб.
от 1000 шт. —
18.12 руб.
1 шт.
на сумму 110 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Continuous Collector Current: | 100 mA |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 30 |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | SOT-23 |
Part # Aliases: | 133 BCR E6327 SP000010757 BCR133E6327HTSA1 |
Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
Product Category: | Digital Transistors |
Product Type: | Digital Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 865 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов