FF400R17KE4HOSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
![Фото 1/2 FF400R17KE4HOSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM](https://static.chipdip.ru/lib/498/DOC027498304.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/161/DOC031161015.jpg)
55 910 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 55 910 руб.
Плати частями
от 13 979 руб. × 4 платежа
от 13 979 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
The Infineon half-bridge IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT4 and emitter controlled diode. It has collector emitter voltage of 1700 V and collector current of 400 A.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Dual |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
Maximum Continuous Collector Current | 400 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Number of Transistors | 2 |
Package Type | 62 mm |
Pin Count | 7 |
Transistor Configuration | Dual |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1700 |
Maximum Continuous Collector Current (A) | 400 |
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Screw |
Packaging | Tray |
Part Status | Active |
PCB changed | 7 |
Supplier Package | 62MM-1 |
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.95 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 565 КБ
Datasheet FF400R17KE4HOSA1
pdf, 587 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов