FF500R17KE4BOSA1, IGBT Modules N

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

50 660 руб.

от 10 шт. — 45 690 руб.

от 20 шт. — 45 620 руб.

1 шт. на сумму 50 660 руб.

Плати частями
от 12 665 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005239652

Артикул: FF500R17KE4BOSA1

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules

The Infineon 62 mm 1700 V, 500 A dual IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT4 and emitter controlled 3 diode.

Collector Emitter Saturation Voltage	1.95В
Collector Emitter Voltage Max	1.7кВ
Continuous Collector Current	500А
DC Ток Коллектора	500А
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Dual(Half Bridge)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.95В
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)
Maximum Collector Emitter Voltage	1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Package Type	AG-62MMHB-411

pdf, 590 КБ

Мы рекомендуем