FP10R12W1T4PB11BPSA1, IGBT Modules N
![Фото 1/2 FP10R12W1T4PB11BPSA1, IGBT Modules N](https://static.chipdip.ru/lib/557/DOC006557491.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/319/DOC004319985.jpg)
12 660 руб.
от 10 шт. —
10 230 руб.
от 30 шт. —
8 960 руб.
1 шт.
на сумму 12 660 руб.
Плати частями
от 3 165 руб. × 4 платежа
от 3 165 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Технические параметры
Другие названия товара № | FP10R12W1T4P_B11 SP001326024 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP EasyPIM PressFIT |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | Trenchstop IGBT4 - T4 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 10А |
DC Ток Коллектора | 10А |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Количество Выводов | 23вывод(-ов) |
Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
Линейка Продукции | EasyPIM |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 24 |
Техническая документация
Datasheet FP10R12W1T4PB11BPSA1
pdf, 786 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов