FP150R12KT4P_B11, IGBT Modules LOW POWER ECONO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 030 руб.
от 12 шт. —
41 890 руб.
1 шт.
на сумму 48 030 руб.
Плати частями
от 12 009 руб. × 4 платежа
от 12 009 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | FP150R12KT4PB11BPSA1 SP001603806 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Конфигурация | Hex |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.75 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
Подкатегория | IGBTs |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Размер фабричной упаковки | 6 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon / IR |
Упаковка | Tray |
Упаковка / блок | EconoPIM 3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FP150R12KT4P_B11
pdf, 743 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов