FS3L200R10W3S7FB11BPSA1, IGBT Modules EASY STANDARD PLUS
![Фото 1/2 FS3L200R10W3S7FB11BPSA1, IGBT Modules EASY STANDARD PLUS](https://static.chipdip.ru/lib/615/DOC007615582.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/934/DOC034934040.jpg)
51 610 руб.
от 8 шт. —
48 050 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 51 610 руб.
Плати частями
от 12 904 руб. × 4 платежа
от 12 904 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Технические параметры
Другие названия товара № | FS3L200R10W3S7F_B11 SP003733416 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP ~ EasyPACK |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 8 |
Серия | Trenchstop IGBT7 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Base Product Number | FS3L200 -> |
Configuration | Three Level Inverter |
Current - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 31ВµA |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input | Standard |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 6.48nF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
Mounting Type | Chassis Mount |
NTC Thermistor | Yes |
Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tray |
Package / Case | Module |
Power - Max | 20mW |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | EasyPACKв„ў -> |
Supplier Device Package | AG-EASY3B |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.55V @ 15V, 25A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 950V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.27В |
Collector Emitter Voltage Max | 950В |
Continuous Collector Current | 70А |
DC Ток Коллектора | 70А |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Three level Inverter |
Линейка Продукции | EasyPACK TRENCHSTOP |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 950В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.27В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 7(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1154 КБ
Datasheet FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
pdf, 1106 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов