IGB15N65S5ATMA1, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

560 руб.

от 10 шт. — 440 руб.

от 100 шт. — 328 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 560 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005239951

Артикул: IGB15N65S5ATMA1

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

Pd - рассеивание мощности	105 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	IGB15N65S5 SP001502560
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.35 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	35 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	35 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	1000
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-263-3
Collector Emitter Saturation Voltage	1.35В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	35А
Power Dissipation	105Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	TRENCHSTOP 5
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Maximum Power Dissipation	105 W
Package Type	PG-TO263-3
Вес, г	1