IGB30N60T, IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

810 руб.

от 10 шт. — 640 руб.

от 25 шт. — 588 руб.

от 100 шт. — 457.53 руб.

1 шт. на сумму 810 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005239953

Артикул: IGB30N60T

Unclassified

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A

Pd - рассеивание мощности	187 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	4.4 mm
Длина	10 mm
Другие названия товара №	IGB30N60TATMA1 IGB3N6TXT SP000095765
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.95 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	60 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	TRENCHSTOP IGBT
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	TO-263-3
Ширина	9.25 mm
Вес, г	2

pdf, 622 КБ

Мы рекомендуем