IGB50N60T, IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 390 руб.

от 10 шт. — 1 080 руб.

от 25 шт. — 988 руб.

от 100 шт. — 789.94 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 390 руб.

Плати частями
от 349 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005239954

Артикул: IGB50N60T

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Brand:	Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.5 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	90 A
Factory Pack Quantity:	1000
Gate-Emitter Leakage Current:	100 nA
Manufacturer:	Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package/Case:	D2PAK-3(TO-263-3)
Part # Aliases:	SP000054922 IGB5N6TXT IGB50N60TATMA1
Pd - Power Dissipation:	333 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	2

pdf, 629 КБ

Мы рекомендуем