IGB50N65S5ATMA1, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

970 руб.

от 10 шт. — 770 руб.

от 25 шт. — 686 руб.

от 100 шт. — 550.57 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 970 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005239957

Артикул: IGB50N65S5ATMA1

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Описание Транзистор: IGBT, 650В, 63А, 135Вт, D2PAK Характеристики

Brand:	Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.35 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	80 A
Continuous Collector Current Ic Max:	80 A
Factory Pack Quantity:	1000
Gate-Emitter Leakage Current:	50 uA
Manufacturer:	Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package/Case:	D2PAK-3(TO-263-3)
Packaging:	Reel, Cut Tape
Part # Aliases:	IGB50N65S5 SP001502566
Pd - Power Dissipation:	270 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Channel Type	N
Configuration	Single
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	80 A
Maximum Gate Emitter Voltage	30V
Maximum Power Dissipation	270 W
Number of Transistors	1
Package Type	PG-TO263
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	2