IGP06N60T, IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A

IGP06N60T, IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
420 руб.
от 10 шт.330 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005239966
Артикул: IGP06N60T

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 6A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 88 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 9.25 mm
Длина 10 mm
Другие названия товара № SP000683040 IGP6N6TXK IGP06N60TXKSA1
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 12 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 500
Серия TRENCHSTOP IGBT
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-252-3
Ширина 4.4 mm
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet IGP06N60T
pdf, 489 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов