IGP15N60T, IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A

Фото 1/2 IGP15N60T, IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
290 руб.
от 10 шт.240 руб.
от 100 шт.206 руб.
от 250 шт.190.79 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005239969
Артикул: IGP15N60T

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 26 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 500
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Part # Aliases: SP000683044 IGP15N6TXK IGP15N60TXKSA1
Pd - Power Dissipation: 130 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: TRENCHSTOP IGBT
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Tradename: TRENCHSTOP
Case TO220-3
Collector current 23A
Collector-emitter voltage 600V
Gate-emitter voltage ±20V
Kind of package tube
Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting THT
Power dissipation 130W
Semiconductor structure single transistor
Type of transistor IGBT
Вес, г 2.033

Техническая документация

Datasheet
pdf, 497 КБ
Datasheet
pdf, 450 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов