IGP50N60T, IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 180 руб.
от 10 шт. —
920 руб.
от 25 шт. —
832 руб.
от 100 шт. —
665.47 руб.
1 шт.
на сумму 1 180 руб.
Плати частями
от 295 руб. × 4 платежа
от 295 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 333 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 9.25 mm |
| Длина | 10 mm |
| Другие названия товара № | IGP50N60TXKSA1 IGP5N6TXK SP000683046 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 90 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | TRENCHSTOP IGBT |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Collector Current (Ic) | 90A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2V@15V, 50A |
| Operating Temperature | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 333W |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 150A |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 310nC |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 299ns |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 1.4mJ |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 26ns |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 1.2mJ |
| Type | FS(Field Stop) |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Infineon Technologies IGP50N60T
pdf, 443 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
