IGW40N60H3, IGBT Transistors 600V 40A 306W
![Фото 1/4 IGW40N60H3, IGBT Transistors 600V 40A 306W](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517016.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758105.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/266/DOC047266113.jpg)
1 190 руб.
от 10 шт. —
1 040 руб.
от 25 шт. —
863 руб.
от 100 шт. —
725.31 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 190 руб.
Плати частями
от 299 руб. × 4 платежа
от 299 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A 306W
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 306 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IGW40N60H3FKSA1 IGW4N6H3XK SP000769926 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | HighSpeed 3 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.95 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 80 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 80 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3XK SP000769926 |
Pd - Power Dissipation | 306 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | IGW40N60 |
Technology | Si |
Unit Weight | 0.229281 oz |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Maximum Power Dissipation | 306 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | PG-TO247-3 |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 6.13 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1990 КБ
Datasheet IGW40N60H3
pdf, 1937 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов