IKD04N60RATMA1, IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A

Фото 1/2 IKD04N60RATMA1, IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
220 руб.
от 10 шт.170 руб.
от 100 шт.136 руб.
от 500 шт.108.94 руб.
1 шт. на сумму 220 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005240051
Артикул: IKD04N60RATMA1

Описание

Unclassified
Описание Транзистор IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 600В, 4А, 75Вт, DPAK Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 75 W
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № IKD04N60R SP000964626
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 8 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 2500
Серия Trenchstop RC
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок TO-252-3
Вес, г 0.3167

Техническая документация

Datasheet IKD04N60RATMA1
pdf, 1737 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов