IKFW50N60DH3XKSA1, IGBTs Y
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 240 руб.
1 шт.
на сумму 1 240 руб.
Плати частями
от 310 руб. × 4 платежа
от 310 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 145 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IKFW50N60DH3 SP001672364 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 53 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 60 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | PG-TO247-3 |
| Automotive | No |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 600 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 53 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 145 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Supplier Package | TO-247 |
| Tab | Tab |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.85 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1952 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
