IKFW50N60ETXKSA1, IGBTs Y

Фото 1/2 IKFW50N60ETXKSA1, IGBTs Y
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 250 руб.
от 10 шт.1 890 руб.
от 25 шт.1 830 руб.
от 100 шт.1 540.01 руб.
1 шт. на сумму 2 250 руб.
Плати частями
от 564 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005240060
Артикул: IKFW50N60ETXKSA1

Описание

Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 59А, 120Вт, PG-TO247-3-AI Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 164 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IKFW50N60ET SP001672368
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 73 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 73 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 240
Серия Trenchstop IGBT3
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet IKFW50N60ETXKSA1
pdf, 1947 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов