IKP40N65H5XKSA1, IGBTs IGBT PRODUCTS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

600 руб.

от 10 шт. — 560 руб.

от 25 шт. — 476 руб.

от 100 шт. — 447.80 руб.

1 шт. на сумму 600 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005240079

Артикул: IKP40N65H5XKSA1

Unclassified

The Infineon 650v fifth generation duopack insulated-gate bipolar transistor and diode of high speed switching series in trenchstop technology.

Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	74 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
Maximum Power Dissipation	250 W
Package Type	PG-TO220-3
Pin Count	3
Collector Current (Ic)	74A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)	650V
Diode Reverse Recovery Time (Trr)	62ns
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)	2.1V@15V, 40A
Power Dissipation (Pd)	255W
Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge)	95nC
Turn?on Delay Time (Td(on))	22ns
Вес, г	6

pdf, 2560 КБ

Мы рекомендуем