IKQ50N120CH3XKSA1, IGBTs IGBT PRODUCTS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 950 руб.
от 10 шт. —
2 470 руб.
от 25 шт. —
2 250 руб.
от 50 шт. —
2 118.47 руб.
1 шт.
на сумму 2 950 руб.
Плати частями
от 739 руб. × 4 платежа
от 739 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Транзистор IGBT 1200В 100A 652Вт
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 100 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IKQ50N120CH3 SP001272708 |
| Pd - Power Dissipation: | 652 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | IGBT HighSpeed 3 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 100(A) |
| Configuration | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -40C |
| Operating Temperature Classification | AUTOMOTIVEC |
| Package Type | TO-247 |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Rad Hardened | No |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1627 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
