IKW20N65ET7XKSA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14

Фото 1/2 IKW20N65ET7XKSA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 000 руб.
от 10 шт.800 руб.
от 25 шт.712 руб.
от 100 шт.569.72 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 000 руб.
Плати частями
от 250 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005240094
Артикул: IKW20N65ET7XKSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
TRENCHSTOP™ IGBT7 Discretes & Modules Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 Discretes and Modules are designed for variable speed drives. 20% of energy or 17 million tons of CO2 could be saved if only half of all industrial drives had electric speed control. Infineon facilitates this switch with the TRENCHSTOP IGBT7 technology.

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.35 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 40 A
Factory Pack Quantity: 240
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Part # Aliases: IKW20N65ET7 SP005348286
Pd - Power Dissipation: 136 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Collector Current (Ic) 40A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) 650V
Diode Reverse Recovery Time (Trr) 70ns
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) 1.65V@15V, 20A
Input Capacitance (Cies@Vce) -
Operating Temperature -40℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 136W
Pulsed Collector Current (Icm) 60A
Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) 128nC
Turn?off Delay Time (Td(off)) 210ns
Turn?off Switching Loss (Eoff) 0.36mJ
Turn?on Delay Time (Td(on)) 16ns
Turn?on Switching Loss (Eon) 0.36mJ
Type FS(Field Stop)
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Package Type PG-TO247-3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1495 КБ
Datasheet
pdf, 1648 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов