IKW30N65H5XKSA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14

Фото 1/2 IKW30N65H5XKSA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 140 руб.
от 10 шт.1 040 руб.
от 25 шт.804 руб.
от 100 шт.643.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 140 руб.
Плати частями
от 285 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005240101
Артикул: IKW30N65H5XKSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор IGBT, 650В, 35А, 94Вт, TO247-3, TRENCHSTOP™ 5, Серия H5 Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 55 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V
Maximum Power Dissipation 188 W
Package Type PG-TO247-3
Pin Count 3
Вес, г 6.059

Техническая документация

Datasheet IKW30N65H5XKSA1
pdf, 2194 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов