IKW40N65ET7XKSA1, IGBTs Y
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 300 руб.
от 10 шт. —
1 010 руб.
от 25 шт. —
891 руб.
от 100 шт. —
713.34 руб.
1 шт.
на сумму 1 300 руб.
Плати частями
от 325 руб. × 4 платежа
от 325 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Low Loss Duopack IGBTs Infineon Technologies Low Loss Duopack IGBTs offer a robust humidity design with Trenchstop™ and Fieldstop™ technology. The Low Loss Duopack IGBTs feature very soft, fast recovery anti-parallel diode, short tail current, and very low VCEsat.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.35 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 76 A |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IKW40N65ET7 SP005403468 |
| Pd - Power Dissipation: | 230.8 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Вес, г | 8.035 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
