IKW50N60H3FKSA1, IGBTs HIGH SPEED SWITCHING

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 740 руб.

от 10 шт. — 1 560 руб.

от 25 шт. — 1 320 руб.

от 100 шт. — 1 019.74 руб.

1 шт. на сумму 1 740 руб.

Плати частями
от 435 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005240114

Артикул: IKW50N60H3FKSA1

Unclassified

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology.

RoHS Compliant	Yes
Channel Type	N
Energy Rating	2.55mJ
Gate Capacitance	2960pF
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	100 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	333 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	1