IKW50N65ET7XKSA1, IGBTs Y
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 520 руб.
от 10 шт. —
1 400 руб.
1 шт.
на сумму 1 520 руб.
Плати частями
от 380 руб. × 4 платежа
от 380 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
TRENCHSTOP™ IGBT7 Discretes & Modules Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 Discretes and Modules are designed for variable speed drives. 20% of energy or 17 million tons of CO2 could be saved if only half of all industrial drives had electric speed control. Infineon facilitates this switch with the TRENCHSTOP IGBT7 technology.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.35 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IKW50N65ET7 SP005348292 |
| Pd - Power Dissipation: | 273 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Package Type | PG-TO247-3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
