IKY40N120CH3XKSA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14

Фото 1/2 IKY40N120CH3XKSA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 360 руб.
от 10 шт.1 930 руб.
от 25 шт.1 760 руб.
от 100 шт.1 399.60 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 360 руб.
Плати частями
от 590 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005240126
Артикул: IKY40N120CH3XKSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
The Infineon IGBT3 in TO-247PLUS 4pin package. The 4 pin package configuration provides ultra low inductance to the gate emitter control loop with the 4 pin package directly to the gate driver and allows for reduction the both of E on and E off losses amo

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 80 A
Continuous Collector Current Ic Max: 80 A
Factory Pack Quantity: 240
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-247-4-2
Packaging: Tube
Part # Aliases: IKY40N120CH3 SP001465124
Pd - Power Dissipation: 500 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 40 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30V
Maximum Power Dissipation 500 W
Mounting Type Through Hole
Number of Transistors 1
Package Type TO-247
Pin Count 4
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1423 КБ
Datasheet
pdf, 1424 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов