IKY50N120CH3XKSA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 230 руб.
от 10 шт. —
2 830 руб.
от 25 шт. —
2 260 руб.
от 100 шт. —
1 885.45 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 230 руб.
Плати частями
от 809 руб. × 4 платежа
от 809 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
The Infineon hard switching high speed IGBT3 in a TO247 PLUS package copacked with a soft and fast recovery full current anti-parallel emitter controlled diode.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 100 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO247-4-2 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IKY50N120CH3 SP001465126 |
| Pd - Power Dissipation: | 652 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | IGBT HighSpeed 3 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 652 W |
| Package Type | PG-TO247-4-2 |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1572 КБ
Datasheet IKY50N120CH3XKSA1
pdf, 1553 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
