IXBK75N170, IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 400 руб.
от 10 шт. —
10 820 руб.
от 25 шт. —
9 470 руб.
1 шт.
на сумму 13 400 руб.
Плати частями
от 3 350 руб. × 4 платежа
от 3 350 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Case | TO264 |
| Collector current | 75A |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Features of semiconductor devices | high voltage |
| Gate charge | 0.35µC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 1.04kW |
| Pulsed collector current | 580A |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Turn-off time | 840ns |
| Turn-on time | 277ns |
| Type of transistor | IGBT |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 177 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
