IXGF32N170, IGBTs 26 Amps 1700V 3.5 V Rds

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 690 руб.

от 10 шт. — 5 290 руб.

1 шт. на сумму 6 690 руб.

Плати частями
от 1 674 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005250029

Артикул: IXGF32N170

Unclassified

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 26 Amps 1700V 3.5 V Rds

Pd - рассеивание мощности	200 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	21.34 mm
Диапазон рабочих температур	55 C to + 150 C
Длина	20.29 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1.7 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.7 V
Непрерывный коллекторный ток	44 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	44 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	200 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	25
Серия	IXGF32N170
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	ISOPLUS i4-Pak-3
Ширина	5.21 mm
Вес, г	6

pdf, 179 КБ

Мы рекомендуем