IXGH24N170, IGBTs 50 Amps 1700V 3.3 V Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 530 руб.
от 10 шт. —
3 800 руб.
от 30 шт. —
3 360 руб.
от 60 шт. —
3 033.21 руб.
1 шт.
на сумму 4 530 руб.
Плати частями
от 1 134 руб. × 4 платежа
от 1 134 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1700V 3.3 V Rds
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 21.46 mm |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| Длина | 16.26 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.7 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 150 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXGH24N170 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
| Ширина | 5.3 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247AD |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
