IXGH28N60B3D1, IGBTs 28 Amps 600V

IXGH28N60B3D1, IGBTs 28 Amps 600V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 640 руб.
от 30 шт.1 170 руб.
от 120 шт.1 020 руб.
1 шт. на сумму 1 640 руб.
Плати частями
от 410 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005250034
Артикул: IXGH28N60B3D1
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 28 Amps 600V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 190 W
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 66 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 150 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXGH28N60
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247AD-3
Вес, г 6.5

Техническая документация

Datasheet IXGH28N60B3D1
pdf, 66 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов