IXGH30N120B3D1, IGBTs 60 Amps 1200V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 560 руб.
от 30 шт. —
1 920 руб.
от 60 шт. —
1 910 руб.
1 шт.
на сумму 2 560 руб.
Плати частями
от 640 руб. × 4 платежа
от 640 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 1200V
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 300 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 21.46 mm |
Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
Длина | 16.26 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | GenX3 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.96 V |
Непрерывный коллекторный ток | 30 A |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 150 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXGH30N120 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
Ширина | 5.3 mm |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 14 КБ
Datasheet IXGH30N120B3D1
pdf, 214 КБ
Datasheet IXGT30N120B3D1
pdf, 207 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов