IXGH32N120A3, IGBTs 32 Amps 1200V

Фото 1/2 IXGH32N120A3, IGBTs 32 Amps 1200V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 150 руб.
1 шт. на сумму 3 150 руб.
Плати частями
от 789 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005250036
Артикул: IXGH32N120A3
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 32А, 300Вт, TO247-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Вид монтажа Through Hole
Высота 21.46 mm
Длина 16.26 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 75 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXGH32N120
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247AD-3
Ширина 5.3 mm
Вес, г 6.5

Техническая документация

Datasheet IXGH32N120A3
pdf, 195 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов