IXGH32N120A3, IGBTs 32 Amps 1200V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 150 руб.
1 шт.
на сумму 3 150 руб.
Плати частями
от 789 руб. × 4 платежа
от 789 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 32А, 300Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 21.46 mm |
Длина | 16.26 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 75 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXGH32N120 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
Ширина | 5.3 mm |
Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Datasheet IXGH32N120A3
pdf, 195 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов