IXGH40N120A2, IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A

IXGH40N120A2, IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 920 руб.
от 10 шт.4 120 руб.
от 30 шт.3 490 руб.
от 60 шт.3 135.73 руб.
1 шт. на сумму 4 920 руб.
Плати частями
от 1 230 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005250040
Артикул: IXGH40N120A2
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SGL IGBT 1200V, 80A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 360 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 21.46 mm
Диапазон рабочих температур 55 C to + 150 C
Длина 16.26 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
Непрерывный коллекторный ток 75 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 160 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXGH40N120
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247AD-3
Ширина 5.3 mm
Вес, г 6.5

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов