IXGH40N120A2, IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 920 руб.
от 10 шт. —
4 120 руб.
от 30 шт. —
3 490 руб.
от 60 шт. —
3 135.73 руб.
1 шт.
на сумму 4 920 руб.
Плати частями
от 1 230 руб. × 4 платежа
от 1 230 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SGL IGBT 1200V, 80A
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 360 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 21.46 mm |
Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
Длина | 16.26 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
Непрерывный коллекторный ток | 75 A |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 160 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXGH40N120 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
Ширина | 5.3 mm |
Вес, г | 6.5 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов