IXGH40N120C3D1, IGBTs 75Amps 1200V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 370 руб.
от 30 шт. —
2 510 руб.
от 60 шт. —
2 340 руб.
1 шт.
на сумму 3 370 руб.
Плати частями
от 844 руб. × 4 платежа
от 844 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 1200V
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 380 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 21.46 mm |
Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
Длина | 16.26 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | GenX3 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 4.4 V |
Непрерывный коллекторный ток | 75 A |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 180 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXGH40N120 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
Ширина | 5.3 mm |
Base Product Number | IXG*40N120 -> |
California Prop 65 | Warning Information |
Current - Collector (Ic) (Max) | 75A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 180A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 142nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | PT |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power - Max | 380W |
REACH Status | REACH Unaffected |
Reverse Recovery Time (trr) | 100ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | GenX3в„ў -> |
Supplier Device Package | TO-247AD (IXGH) |
Switching Energy | 1.8mJ (on), 550ВµJ (off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 17ns/130ns |
Test Condition | 600V, 30A, 3Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4.4V @ 15V, 30A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet IXGH40N120C3D1
pdf, 198 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов