IXGH48N60A3, IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds

IXGH48N60A3, IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 400 руб.
от 30 шт.1 000 руб.
от 120 шт.862 руб.
1 шт. на сумму 1 400 руб.
Плати частями
от 350 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005250042
Артикул: IXGH48N60A3
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V 1.05 V Rds

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 300 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 21.46 mm
Диапазон рабочих температур 55 C to + 150 C
Длина 16.26 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение GenX3
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.18 V
Непрерывный коллекторный ток 120 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 120 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 300 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXGH48N60
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247AD-3
Ширина 5.3 mm
Вес, г 6.5

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов