IXGK100N170, IGBTs HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13 680 руб.

от 10 шт. — 11 580 руб.

от 25 шт. — 9 870 руб.

от 100 шт. — 9 021.62 руб.

1 шт. на сумму 13 680 руб.

Плати частями
от 3 420 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005250049

Артикул: IXGK100N170

Unclassified

Описание Транзистор: IGBT, NPT, 1,7кВ, 100А, 830Вт, TO264 Характеристики

Pd - рассеивание мощности:	830 W
Вид монтажа:	Through Hole
Высота:	26.59 mm
Диапазон рабочих температур:	- 55 C to + 150 C
Длина:	20.29 mm
Конфигурация:	Single
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:	20 V
Минимальная рабочая температура:	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	1.7 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:	170 A
Непрерывный коллекторный ток:	170 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:	600 A
Подкатегория:	IGBTs
Производитель:	IXYS
Размер фабричной упаковки:	25
Серия:	IXGK100N170
Технология:	Si
Тип продукта:	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер:	200 nA
Торговая марка:	IXYS
Упаковка / блок:	TO-264-3
Упаковка:	Tube
Ширина:	5.31 mm
Вес, г	10.6

pdf, 194 КБ

Мы рекомендуем