IXGP12N120A3, IGBTs GenX3 1200V IGBTs
![IXGP12N120A3, IGBTs GenX3 1200V IGBTs](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515026.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 150 руб.
от 10 шт. —
850 руб.
от 50 шт. —
814 руб.
1 шт.
на сумму 1 150 руб.
Плати частями
от 289 руб. × 4 платежа
от 289 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs
Технические параметры
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.4 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 22 A |
Подкатегория | IGBTs |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IXGP12N120 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
Вес, г | 1.8 |
Техническая документация
Datasheet IXGP12N120A3
pdf, 200 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов