IXGP12N120A3, IGBTs GenX3 1200V IGBTs

IXGP12N120A3, IGBTs GenX3 1200V IGBTs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 150 руб.
от 10 шт.850 руб.
от 50 шт.814 руб.
1 шт. на сумму 1 150 руб.
Плати частями
от 289 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005250053
Артикул: IXGP12N120A3
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs

Технические параметры

Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 22 A
Подкатегория IGBTs
Продукт IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки 50
Серия IXGP12N120
Тип продукта IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220AB-3
Вес, г 1.8

Техническая документация

Datasheet IXGP12N120A3
pdf, 200 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов