IXGT16N170A, IGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 730 руб.

от 10 шт. — 3 960 руб.

от 30 шт. — 3 610 руб.

от 60 шт. — 3 166.93 руб.

1 шт. на сумму 4 730 руб.

Плати частями
от 1 184 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005250058

Артикул: IXGT16N170A

Unclassified

Описание Транзистор: IGBT, NPT, 1,7кВ, 11А, 190Вт, TO268 Характеристики

Brand:	IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.7 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	5 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	16 A
Continuous Collector Current Ic Max:	40 A
Continuous Collector Current:	16 A
Factory Pack Quantity:	30
Gate-Emitter Leakage Current:	100 nA
Manufacturer:	IXYS
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Operating Temperature Range:	-55 C to+150 C
Package/Case:	TO-268-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	190 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	5

pdf, 242 КБ

Мы рекомендуем