IXGX120N60A3, IGBTs 120 Amps 600V
![IXGX120N60A3, IGBTs 120 Amps 600V](https://static.chipdip.ru/lib/608/DOC006608912.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 030 руб.
от 10 шт. —
5 550 руб.
1 шт.
на сумму 7 030 руб.
Плати частями
от 1 759 руб. × 4 платежа
от 1 759 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 120 Amps 600V
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 780 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 21.34 mm |
Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
Длина | 16.13 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | GenX3 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
Непрерывный коллекторный ток | 200 A |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 200 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 600 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXGX120N60 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | PLUS 247-3 |
Ширина | 5.21 mm |
Вес, г | 6.5 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов