IXTK120N65X2, MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 440 руб.
от 25 шт. —
3 600 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 440 руб.
Плати частями
от 1 110 руб. × 4 платежа
от 1 110 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 mW |
| Qg - заряд затвора | 230 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 23 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 24 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Размер фабричной упаковки | 25 |
| Технология | Si |
| Тип | X2-Class |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 87 ns |
| Типичное время задержки при включении | 32 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Continuous Drain Current (Id) | 120A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 24mΩ@60A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@8mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13.6nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25kW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 240nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 202 КБ
Диодно-тиристорные модули Crydom
pdf, 187 КБ
