IXXH30N60B3D1, IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 710 руб.
от 10 шт. —
1 530 руб.
от 30 шт. —
1 300 руб.
от 120 шт. —
1 120.28 руб.
1 шт.
на сумму 1 710 руб.
Плати частями
от 429 руб. × 4 платежа
от 429 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.66В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 60А |
| Power Dissipation | 270Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | XPT GenX3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AD |
| Case | TO247AD |
| Collector current | 30A |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Gate charge | 39nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Pulsed collector current | 115A |
| Technology | GenX3™, Planar, XPT™ |
| Turn-off time | 125ns |
| Turn-on time | 23ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 4.5 |
Техническая документация
Datasheet IXXH30N60B3D1
pdf, 245 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
