IXXX200N65B4, IGBTs 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 380 руб.
1 шт.
на сумму 8 380 руб.
Плати частями
от 2 095 руб. × 4 платежа
от 2 095 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1150 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 370 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 200 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | Trench - 650V - 1200V GenX37 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | PLUS247-3 |
| Вес, г | 6.6 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
