IXYA20N120B4HV, IGBTs TO263 1200V 20A XPT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 010 руб.
от 10 шт. —
2 530 руб.
от 25 шт. —
2 300 руб.
от 50 шт. —
2 037.08 руб.
1 шт.
на сумму 3 010 руб.
Плати частями
от 754 руб. × 4 платежа
от 754 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4TH GENERATION (GENX4)TRENCH
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 375 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | XPT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.83 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 76 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 130 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | Trench - 650V - 1200V GenX39 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-263HV-3 |
Вес, г | 2.5 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов