IXYA20N120B4HV, IGBTs TO263 1200V 20A XPT

IXYA20N120B4HV, IGBTs TO263 1200V 20A XPT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 010 руб.
от 10 шт.2 530 руб.
от 25 шт.2 300 руб.
от 50 шт.2 037.08 руб.
1 шт. на сумму 3 010 руб.
Плати частями
от 754 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005250347
Артикул: IXYA20N120B4HV
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4TH GENERATION (GENX4)TRENCH

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 375 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение XPT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.83 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 76 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 130 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 50
Серия Trench - 650V - 1200V GenX39
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-263HV-3
Вес, г 2.5

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов