IXYH40N120C3D1, IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 290 руб.
от 10 шт. —
2 810 руб.
от 30 шт. —
2 510 руб.
от 60 шт. —
2 412.90 руб.
1 шт.
на сумму 3 290 руб.
Плати частями
от 824 руб. × 4 платежа
от 824 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 64 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 480 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 50kHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
